存储芯片厂商 SK 海力士 2 月 1 日宣布，其公司位于韩国首尔南部利川市的 M16 新厂已经竣工，SK 海力士将首次使用极紫外辐射（EUV）光刻机在生产存储芯片。
SK 海力士经过两年的时间，花费了 3.5 万亿韩元（约合 31 亿美元）建成了这座芯片工厂，工厂长 336 米，宽 163 米，高 105 米，相当于一座 37 层公寓的高度，是 SK 海力士目前最大的芯片工厂。
SK 集团董事长崔泰源在颁奖典礼上称，建造新工厂的决定在两年前是十分大胆的，因为当时整个半导体存储芯片市场正处于低迷，如今看来这个决定十分明智。
SK 海力士称已在新厂 M16 引进了 EUV 光刻机，从而提高芯片电路的精细程度。
目前 SK 海力士计划从今年 6 月开始使用 EUV 光刻机量产第四代 10nm（1α）DRAM 芯片。
据 SK 海力士 CEO 李锡熙介绍，M16 是比较先进的芯片制造工厂，集中了符合 ESG（环境、社会和治理）理念的先进设施，例如专门用于 EUV 设备的车间和最新的污染减排设施。
他还称，M16 的竣工也代表着其公司于 2015 年宣布的 “未来愿景”的早期实现。当时，SK 海力士宣布将从 2014 年起在 10 年内建造三座新工厂，M14 和 M15 分别于 2015 年和 2018 年竣工，M16 是其 “未来愿景”中最后一间工厂。
结语：SK 海力士正式使用 EUV 技术，三大存储厂商只剩美光未使用
本次 SK 海力士的工厂竣工将正好赶上服务器扩充，全球芯片短缺这一节点。该公司预计今年 DRAM 需求将增长约 17% 至 20%，此外今年服务器产品的需求也可能增长 30% 以上。SK 海力士的工厂竣工赶在了最合适的节点上，这离不开其公司对整体行业的精准判断。
同时在 SK 海力士使用 EUV 技术后，三大芯片存储厂商就只剩下美光还未引入 EUV 光刻机。短期内美光采用 1α工艺的 DRAM 成本可能会低于另外两家，但是长期来看可能将缺少三星、SK 海力士大规模采用 EUV 技术生产 DRAM 的经验，这可能会使其在市场竞争中处于下风。