中芯国际:第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段

9月22日消息,上周有投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产消息,中芯国际回答表示,中芯国际第二代 FinFET N+1已进入客户导入阶段,可望于2020年底进行小批量试产。

中芯国际于2019年实现了国内最先进的14nm 工艺制程量产,并已为华为麒麟710A 芯片等进行代工。

今年6月,中芯国际表示,14nm 晶圆代工产能正处于初期布局阶段,因此全球份额相对较低,不过第一代14nm FinFET 技术已进入量产阶段,而且技术上处于国际领先水平,且具有一定的性价比,目前已同众多客户开展合作,预测产能利用率可以稳定保持在较高水平。

而关于中芯国际在下一代技术节点的开发情况,中芯国际表示第二代 FinFET 技术目前已进入客户导入阶段,与第一代对比有望在性能上提高约20%,功耗降低约7%,面积缩小63%。

中芯国际表示,14nm 及以下先进工艺主要应用于5G 、人工智能、智能驾驶、高速运算等新兴领域,未来发展前景广阔。

中芯国际12英寸芯片 SN1项目是中国内地第一条14nm 及以下先进工艺生产线,规划月产能为3.5万片晶圆,目前已建成月产能6000片。

值得一提的是,目前由于外媒分析称中芯国际在第二代 FinFET 制程能效不及台积电7nm 工艺,且有博主称中芯国际第二代 FinFET N+1技术等效于台积电8nm 工艺,因此不少媒体以讹传讹,最后传出中芯国际官宣8nm 的乌龙事件。

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风君子

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