据快科技报道，台积电正式披露了其最新 3nm 工艺的细节详情，其晶体管密度达到了 2.5 亿/mm²。作为参考，采用台积电 7nm EUV 工艺的麒麟 990 5G 尺寸 113.31mm²，晶体管密度 103 亿，平均下来是 0.9 亿/mm²，3nm 工艺晶体管密度是 7nm 的 3.6 倍。
性能提升上，台积电 5nm 较 7nm 性能提升 15%，能耗提升 30%，而 3nm 较 5nm 性能提升7%，能耗提升 15%。
此外台积电还表示，3nm 工艺研发符合预期，并没有受到疫情影响，预计在 2021 年进入风险试产阶段，2022 年下半年量产。
工艺上，台积电评估多种选择后认为现行的 FinFET 工艺在成本及能效上更佳，所以 3nm 首发依然会是 FinFET 晶体管技术。