三星7nm EUV成熟了 Power 10核心面积高达602mm2:仅次于安培

今天IBM正式推出了Power 10系列处理器,,Power 10可谓科技满满,PCIe 5.0、DDR5都齐了,单芯片15核心120线程。

这一代最大的变化当属制程工艺,从之前Power 9的GF 14nm SOI工艺升级到了三星7nm EUV工艺,而且核心面积高达602mm2,意味着这是一颗大核心芯片。

三星7nm EUV成熟了 Power 10核心面积高达602mm2:仅次于安培

三星7nm EUV成熟了 Power 10核心面积高达602mm2:仅次于安培

对三星来说,虽然2018年官方就高调宣布了7nm EUV工艺量产,比台积电进度还靠前,但实际上三星的7nm EUV一直不够成熟,良率多次传出问题。

在7nm工艺上,台积电为NVIDIA代工的安培GA100核心面积高达826mm2,集成了540亿晶体管,可以说是7nm高性能芯片之最了。

现在三星制造的Power 10处理器面积也达到了602mm2,晶体管数量180亿,规模上依然不能跟GA100相比。

不过我们要考虑到,CPU与GPU工艺是不同的,后者总体较为简单,对规模更容易,而CPU要复杂的多,Power 10的晶体管只有GA100的1/3。

即便如此,三星7nm EUV工艺能够制造出600mm以上的大芯片,说明三星的7nm EUV在高性能方面也成熟了,这对三星抢占台积电的份额大有裨益。

三星7nm EUV成熟了 Power 10核心面积高达602mm2:仅次于安培

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风君子

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