9 月 5 日消息，日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业和从事 ATM 及通信设备的 OKI 公司日前宣布，其开发出了以低成本制造使用氮化镓（GaN）的功率半导体材料的技术。
据介绍，该技术可将制造成本降至传统制法的十分之一以下。如果能够量产，将有利于普及快速充电器等设备。
从官方新闻稿获悉，信越化学工业和 OKI 开发的新技术可以在特有的 QST 基板上喷镓系气体，使晶体生长。信越化学工业的增厚晶体技术与 OKI 的接合技术相结合，从基板上只揭下晶体。晶体放在其他基板上作为功率半导体的晶圆使用。
信越化学工业表示，在 GaN 基板上使 GaN 晶体生长的制法不仅制造耗费时间，成品率还很差，成本高。新制法可以高效制造晶体，可以降低 9 成成本。与在矽基板上使 GaN 晶体生长的制法相比，不需要基板与晶体之间的绝缘层。加上晶体的厚膜化，可以通 20 倍大的电流。
信越化学工业透露，这一技术可以制造 6 英寸晶圆，希望在 2025 年增大到 8 英寸，今后还考虑向半导体厂商销售技术等业务模式。
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