根据台湾经济日报报道，近日台积电在2nm研发上取得重大突破，目前已找到路径，将切入全环栅场效应晶体管GAA，这是台积电继从鳍式场效应晶体管FinFET技术取得全球领先地位之后，向另一全新的技术节点迈进。
如果说FinEFT是平面式晶体管架构的继承者，那么GAA就相当于FinFET的改良版。
在FinEFT提出之前，根据摩尔定律，芯片的工艺节点制程的极限将是35nm。为此，美国国防高级研究计划局（DARPA）启动了一个名为“25nm开关”的计划，致力于提升芯片容纳集体管数目的上限，加州大学伯克利分校教授胡正明与其团队加入了这一计划，试图攻破制程难题。
于是，胡正明团队提出在硅基底上方垂直布设细传导通道，控制电子流动，这一架构的外观如同鱼鳍，故被称之为鳍式场效应晶体管。
1999年，胡正明团队发布了第一款45nm的FinEFT晶体管，且性能优良。
胡正明教授预测，该晶体管器件能够使工艺节点继续发展到20nm以下，这一预测已经得到验证，并且，依托FinEFT技术，芯片工艺节点制程已经发展到5nm甚至3nm。
与此同时，随着工艺节点制程发展到3nm，晶体管沟道进一步缩短，这时会发生量子遂穿效应。为再一次突破极限，新的工艺技术GAA-EFT诞生了。
尽管GAA概念的提出要比FinEFT早10年左右，不过GAA相当于FinEFT的改进版，在3nm工艺节点遇到障碍的三星就已从FinFET工艺转入到GAA，如今台积电也将加入GAA的队伍中。无论是三星还是台积电，都将新工艺指向了GAA。
相比于三星，台积电切入GAA工艺较晚，虽然这与台积电本身FinFET的巨大成功有一定的关系，但可能更多的原因在于若采用新的工艺，从决定采用到最终实现量产，需要耗费较长的时间周期。
当年第一个采用FinEFT工艺并实现量产规模的公司Intel，就花了十年的时间才量产。相比FinEFT而言，GAA相对上一代工艺的变化并不太大，但从实验室到商业化量产，依然需要一定的周期。
从这一层面看，在3nm采取FinEFT、在2nm才计划切入GAA的台积电，或许更能赢得市场青睐。
观察台积电近三年的研发费用，其每年的研发费用占据营收费用的8%~9%，其营收逐年增加，研发费用也随之增多。
尽管不少人认为，台积电失去华为订单将面临营收风险，但根据台积电官网7月10日消息，台积电6月净收入约为1208.8亿元新台币（折合287.54亿元人民币），较2019年6月增长了40.8%。这是自1999年来，台积电月度营收首次超过1200亿新台币，创下历史新高。
此次营收大增的主要原因，可能是台积电为苹果A14处理器大规模量产，A14处理器由台积电独家代工，采用的是5nm工艺。
就台积电目前在营收上取得的成绩而言，台积电在研发上的投入将持续增多，这也就意味着，台积电将有更多的资金投入到2nm技术的研发，持续营收与研发的良性循环。
在同其他企业竞争的过程中，台积电始终保持自己的节奏，做出相对稳妥的决定，此次计划2nm导入GAA，是否会延续台积电在FinFET的成功？
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