这几年，虽然摩尔定律基本失效或者说越来越迟缓，但是在半导体工艺上，几大巨头却是杀得兴起。Intel 终于进入 10nm 工艺时代并将在后年转入 7nm，台积电、三星则纷纷完成了 7nm 工艺的布局并奔向 5nm、3nm。
现在，台积电又官方宣布，正式启动 2nm 工艺的研发，工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园，预计 2024 年投入生产，时间节奏上还是相当的快。
按照台积电给出的指标，2nm 工艺是一个重要节点，Metal Track (金属单元高度)和 3nm 一样维持在 5x，同时Gate Pitch (晶体管栅极间距)缩小到 30nm，Metal Pitch (金属间距)缩小到 20nm，相比于 3nm 都小了 23％。
台积电没有透露 2nm 工艺所需要的技术和材料，看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化，能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹，接下来就看能不能做到 1nm 了。
当然，在那之前，台积电还要接连经历 7nm+、6nm、5nm、3nm 等多个工艺节点。
其中，7nm+ 首次引入 EUV 极紫外光刻技术，目前已经投入量产；6nm 只是 7nm 的一个升级版，明年第一季度试产；5nm 全面导入极紫外光刻，已经开始风险性试产，明年底之前量产，苹果 A14、AMD 五代锐龙(Zen 4 都有望采纳)；3nm 有望在 2021 年试产、2022 年量产。
三星也早就规划到了 3nm，预期 2021 年量产。
