随着三星加快 7nm EUV 工艺量产，台积电领先了一年的 7nm 先进工艺今年会迎来激烈竞争，IBM、NVIDIA 以及高通都要加入三星的 7nm EUV 阵营了。
在先进工艺路线图上，台积电的 7nm 去年量产，7nm EUV 工艺今年量产，海思麒麟 985、苹果 A13 处理器会是首批用户，明年则会进入 5nm 节点，2021 年则会进入 3nm 节点，最终在 2022 年规模量产 3nm 工艺。
台积电从去年就开始启动 3nm 晶圆厂的建设工作，由于晶圆厂对水力、电力资源要求很高，初期的环评工作很严格，今天台湾环保部门公布了台积电 3nm 晶圆厂的专案初审，通过了新竹科学园区有过宝山用地的申请，这意味着台积电的 3nm 晶圆厂最终落地在新竹园区。
根据台积电之前的资料，整个 3nm 晶圆厂预计会在 2020 年正式动工建设，耗资超过 4000 亿新台币，折合 879 亿人民币或者 130 亿美元。
由于摩尔定律逐渐到了物理极限，3nm 被认为是最后的一代硅基半导体工艺，因为 1nm 节点会遭遇严重的干扰。为了解决这个问题，三星宣布在 3nm 节点使用 GAA 环绕栅极晶体管工艺，通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。
与三星相比，台积电并没有公布过 3nm 工艺的具体技术细节，预计也会改用全新结构的晶体管工艺，只不过目前尚无明确消息。