在电路设计中，开关可以说是非常非常关键的器件，我们用的最多的是自锁开关，按下开关即可开启设备，但是实际我们总是会出现这样的问题，就是自锁开关的寿命问题，当自锁开关使用上百次或上千次时，自锁开关通常会变得非常不靠谱，严重的无法开启设备，这就让我们想到了能否使用其他的方式来替代自锁开关。既然自锁开关就是可以长期导通，而按键开关却只有在按键按下时导通，想想我们的手机开机过程，我们会长按一个开机按键，然后手机就开机的，这个其实也是的，我们不需要开机后持续按住，只是开机后就可以放开按键，因此我们想到用到锁存器来解决这个问题，确实，用锁存器是一种非常不错的解决方案，但是我们需要一个锁存器，在很多情况下锁存器没有专用的芯片，这个当然可以用寄存器代替使用，但是这个将会造成成本上升，所以我们可以想到还有一种方法就是直接用晶体管代替。
晶体管有三极管，NMOS管，PMOS管，这些管子理论上都可以来锁住状态使其长期处于导通状态，但是实际上，三极管的管功耗大，而且是电流控制型器件，管压降也大，因此我们放弃采用三极管，对于NMOS管和PMOS管，其实都是可以实现的，但是我们选择NMOS管，原因有两点：1. NMOS管比PMOS管的价格低很多 2.NMOS管的导通电阻比PMOS管小很多 因此我们完全有理由选择NMOS管而非PMOS管。
NMOS管价格较低，导通电阻较小的有两个 ： SI2302 AO3400 这这两种管子在Vgs=2.5V时都只有几十毫欧，这是非常不错的。
先上电路图(采用SI2302)：（必须下端接入即源极接地）
说明：
此电路只针对3.3V电源而言，若电源电压不是3.3V，则应该调整R1和R2的阻值大小，具体可以大致计算，不过最好是用器件实验下。
注意：按键按下必须保持一段时间，为什么这样有两个原因，第一：单片机必须开始执行程序来拉高GPIO，第二：MOS管存在开关损失。
但是对于小电流而言，有很多现有的方案可共选择：
| 芯片 | 最大电流 |
| RT9193 | 300mA |
| RT9013 | 500mA |
| SY8088 | 1A |
| SY8089 | 2A |
| RS3236 | 500mA |
这里以RT9013为例：
下面是引自某博客https://blog.csdn.net/wwwlyj123321/article/details/79225872
MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作,同样P道的类似PNP晶体三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作。
1.导通特性
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
2.MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
3.MOS管驱动
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。如果有兴趣，可以在mos的G级串一个电流表，看电流的变化。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。