英特尔解释10nm芯片为何跳票 承诺2021年推7nm产品

  网易科技讯,5 月 9 日消息,据 Anandtech 报道,在美国当地时间 8 日举行的英特尔投资者日上,该公司首席执行官鲍勃·斯旺(Bob Swan)和总裁穆尔西·兰德奇塔拉(Murthy Renduchintala)谈到了英特尔的芯片开发路线图。

  英特尔历来在执行其工艺技术方面能力超强,但其推出 10nm 制程工艺数次延迟显然引发了许多质疑,而且这种情况已经持续了数年。两位英特尔高管详细介绍了英特尔在此期间所做的事情,以及其从这些事件中吸取了哪些教训。

  早在 2013 年,英特尔就设想通过提供 2.7 倍密度的自对准四轴图形(SAQP)、有源栅极上接触(COAG)、Cobolt 互连以及 EMIB 和 Foveros 等新封装技术,利用 10nm 芯片取代 14nm 芯片。

  英特尔承认,这是个雄心勃勃的计划,但由于该公司没有与相关团队明确界定目标,导致该计划最终变得过于复杂,且没有以理想的方式加以管理。

  这最终致使 10nm 工艺的推出被延迟。在这种情况下,英特尔将 10nm 制程工艺推持到 2019 年,并以 14+ 和 14++ 填补了空白。

  自该计划实施以来,英特尔的 14+ 和 14++ 工艺已经获得了超过 20% 的性能提升。因此,英特尔不仅为将来的节点内优化做好了准备,而且实际上还调整了路线图来完善它。

  兰德奇塔拉明确表示,英特尔希望在新工艺开始时引入类似摩尔定律式的增益,并在该工艺结束时引入另一种类似的增益。

  英特尔表示,其 10nm 产品系列将从今年年中开始上市,客户端平台(笔记本电脑)将配置 Ice Lake。

  英特尔将在 2019 年和 2020 年推出多种 10nm 产品,包括在 2020 年上半年推出基于 10nm 的服务器。

  此外,英特尔表示将在 2021 年生产并推出一款 7nm 产品。

  对于一家开发 10nm 工艺都存在问题的公司来说,这个时间表听起来显得十分激进。在英特尔路线图中,10nm (以及 10+ 和 10++)的生命周期比 14nm 系列短得多。

  考虑到这一点,英特尔的 7nm 产品将成为该公司从 14nm 和 10nm 系列产品中吸取教训的结合体。英特尔希望实现 2 倍扩展(摩尔定律),但是计划将节点内优化作为路线图的一部分。

  英特尔也在减少其设计规则的数量,这应该有助于执行新的路线图计划。7nm 也将是英特尔与 EUV 交叉的领域,并将引入下一代 Foveros 和 EMIB 封装技术。

  英特尔还展示了以个人电脑为中心的单片芯片和基于 Foveros 和 EMIB 的多模数据中心芯片。英特尔芯片和封装团队表示,我们将看到 Foveros 和 EMIB 出现在新产品上,特别是 GPU。

  英特尔宣布其领先的 7nm 产品将是基于 Xe 图形架构的新 GPGPU。该公司表示,其 Xe 产品将有两个不同的微体系结构(从移动端 GPGPU),其中一个架构称为北极声音(Arctic Sound)。

  英特尔将在 2020 年发布首个分离式 GPU 技术,然而 7nm GPGPU 将等到 2021 年推出。(小小)

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风君子

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