10 月 22 日消息，据俄罗斯下诺夫哥罗德策略发展机构公文，俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所 (IPF RAS) 正在开发俄罗斯首套半导体光刻设备，并对外夸下海口：这套光刻机能够使用 7nm 生产芯片，可于 2028 年全面投产。
据介绍，他们计划在六年内制作出光刻机的工业原型，首先要在 2024 年开发一台 alpha 机器。这一阶段的重点不在于其工作或解决的高速性，而在于所有系统的全面性。
然后，到 2026 年，alpha 应该被 Beta 所取代。届时所有系统都将得到改进和优化，分辨率也将得到提升，生产力也将提高，许多操作将实现机械自动化。这一阶段重要的是要将其集成到实际的技术流程中，并通过“拉起”适合其他生产阶段的设备对其进行调试。
第三步也就是最后一步，将为光刻机带来更强的光源、改进的定位和馈送系统，并使得这一套光刻系统能够快速准确地工作。
曾报道，俄罗斯目前已经可以生产 65nm 制程的芯片，该国此前宣布了一项国家计划，希望在 2030 年开发 28nm 制程，希望靠着对外国芯片进行逆向工程，并培养当地半导体人才。
俄罗斯科学院纳米结构研究所副所长表示，全球光刻机领导者 ASML 近 20 年来一直致力于 EUV 曝光机，目标是让世界顶尖半导体厂商保持极高的生产效率。但俄罗斯并不需要，只要根据俄罗斯国内的需求向前推进即可。
从其他外媒的评价来看，俄罗斯的想法似乎太过天真，毕竟想在 6 年内仅凭自己研发出可媲美 ASML 十年积淀的光刻技术实在是有点难以令人相信，且晶圆厂并非光靠光刻机就可生产出芯片，还需要许多外围设备，而俄罗斯并不满足独立生产这些设备的条件。
值得一提的是，下诺夫哥罗德代表团还向大家展示了未来光刻设备的演示样品。这套系统基于下诺夫哥罗德的 IAP RAS 开发、制造和安装。不过他们自己也提到，这甚至不是设备原型，而是“原型的原型”。
这套演示设备虽然不能解决实际的工业问题，但它可以让科学家有机会验证关键技术的可行性，并测试进一步工作所需的其他关键假设。