不久前，台积电官方宣布了 6nm (N6) 工艺节点，在已有 7nm (N7) 工艺的基础上增强而来，号称可提供极具竞争力的高性价比，而且能加速产品研发、量产、上市速度。
台积电 CEO 兼副董事长魏哲家(CC Wei)最新披露，绝大多数 7nm 工艺客户，都会转向 6nm 工艺，使用率和量产产能都会迅速扩大。
考虑到 6nm 工艺沿用了 7nm 工艺的设计规则，升级迁移还是相当容易的，成本增加不大，性能功耗方面又有提升(虽然不会特别明显)，客户自然也乐得上新工艺，看起来这代工艺会相当流行。
台积电现在的 7nm 工艺有两个版本，第一代 7nm (N7) 采用传统 DUV 光刻技术，第二代 7nm+ (N7+)则是首次加入 EUV 极紫外光刻，已进入试产阶段，预计下一代苹果A、华为麒麟都会用，2019 年两者合计可贡献大约 25％ 的收入。
新的 6nm 工艺也有 EUV 极紫外光刻技术，相比 7nm+ (N7+)增加了一个极紫外光刻层，同时相比 7nm (N7) 可将晶体管密度提升 18％，而且设计规则完全兼容 7nm (N7)，便于升级迁移，降低成本，相比之下 7nm+ (N7+)则是另一套设计规则。
台积电 6nm 预计 2020 年第一季度试产，再往后的 5nm 工艺也已经开始试产，号称相比于第一代 7nm 晶体管密度提升 45％，可带来 15％ 的性能提升或 20％ 的功耗下降。
事实上，台积电预计多数 7nm 工艺客户会转向 6nm 然后再次升级到 5nm，7nm+ 则不会那么普及，不少客户可能会选择跳过。
