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7 月 16 日消息，据 Sammobile 报道，三星副总裁 Younggwan Ko 最近在韩国水原举行的一次研讨会上表示，随着存储半导体变得更强大，封装技术必须与存储半导体一起发展。将 MSAP 工艺应用于其 DDR6 内存芯片将允许三星制造具有更精细电路的芯片。
另据 The Elec 报告称，三星的竞争对手已经将 MSAP 封装技术用于 DDR5 内存，而三星正在努力将这种封装技术用于 DDR6。
传统的封装方法只把要形成电路图案的区域进行涂覆，而将其他区域蚀刻掉。
但在 MSAP 封装中，除了电路之外的区域都经过涂层处理，而空白区域则进行了电镀，从而可以实现更精细的电路。
了解到，三星于本周早些时候推出了其首款用于显卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 芯片，报道称，该公司处于 DDR6 开发的早期阶段，根据去年的一份报告，其 DDR6 设计可能会在 2024 年完成。
预计 DDR6 的速度是 DDR5 的两倍，内存通道数也是 DDR5 的两倍。DDR6（JEDEC）可以实现大约 12800Mbps 的传输速率，或支持超频到 17000Mbps。
目前，三星最快的 DDR5 DIMM 具有高达 7200 Mbps 的传输速度，因此 DDR6 将提高 0.7 倍，超频下将提高 1.36 倍。