豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET，专为手机锂电池电路保护设计

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6 月 28 日消息，MOSFET 是一种在电池包装中的安全保护开关，近日，豪威集团全新推出两款 MOSFET：业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 沟道 MOSFET WNM6008。

据官方介绍，双 N 沟道增强型 MOSFET，WNMD2196A 具有业内同类产品最低内阻，RSS (ON) 低至 1mΩ，专为手机锂电池电路保护设计。WNMD2196A 采用先进的沟槽技术设计，提供卓越的 RSS (ON) 的同时实现低栅极电荷。载流子迁移速度快，阙值电压低，开关速率高，可实现更高的效率和更低的温升。

了解到，WNM6008——80V 高功率 MOSFET，采用最新一代 Shield Gate 技术，针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化，具备超低 FOM 值（开关应用重要优值系数）。WNM6008 适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。可有效赋能太阳能、电源和电池供电（例如电动代步车）等应用。