中国通信设备巨头华为提出了一种适用于 3D-DRAM 构建的垂直通道全能（channel-all-around，CAA）晶体管。
据 eeNews 报道，该提案被包含在一篇论文中，将在 2022 年 IEEE 超大规模集成电路技术和电路研讨会上提交，该研讨会定于 6 月 12 日至 17 日在夏威夷檀香山举行。
该器件是一种铟镓氧化锌（IGZO）场效应晶体管（FET），其 IGZO、高 k 电介质氧化铪和 IZO 层围绕一个垂直柱排列。IGZO 厚度约为 3nm。HfOx 和 IZO 的厚度约为 8nm。垂直方向的通道长度为 55nm，平面内的临界尺寸为 50nm。
该晶体管在 Vth+1V 时达到 32.8microamps / micron 的电流密度，亚阈值摆幅为 92mV / decade。
作者声称，在-40 摄氏度到 + 120 摄氏度之间，该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，有望成为未来超越 1-alpha 节点的高性能 3D-DRAM 的候选产品。