3 月 30 日消息,日前,realme 推出了“潮玩旗舰”真我 GT Neo 3,支持 150W 光速秒充,5 分钟充电 50%。
据南芯消息,真我 GT Neo 3 搭载了南芯半导体 SC8571 超高压电荷泵快充芯片。
官方称,南芯 SC8571 可实现业界同类产品的最大功率,单芯片可支持最高 120W 充电规格。通常情况下,为保证手机的散热性能和用户体验,120W 到 160W 一般会采用 2 颗 SC8571 并联方案;如若采用 3 颗 SC8571 并联,并配合相应快充链路的整体加强设计,则可以实现 200W 的充电功率。
SC8571 实现了业界极高的 98.65% 峰值效率,在单颗输出 8A 的大功率负载条件下依然保持超过 98% 的效率指标。
安全性方面,SC8571 内部集成了 21 重不同保护机制,以确保充电过程安全可靠。其保护机制可以分为以下三类:11 重系统级保护、5 重电荷泵相关保护、5 重系统级报警。其中,系统级保护和电荷泵相关保护触发后,SC8571 会停止充电,同时出 INT 中断。系统级报警触发后,同样会出 INT 中断,但是充电不会停止,以提醒 AP 提早采取应对措施。
了解到,上海南芯半导体科技股份有限公司,成立于上海浦东张江高科技园区,是一家专注于电源和电池管理的高性能国产半导体设计公司。