集微网消息 3 月 25 日，南大光电在投资者互动平台就投资者关于“193nm 光刻胶项目第二条生产线是否建设完毕，是否进行投产，如还未完工预计何时完工”等问询作出回应称，公司已建成两条 ArF 光刻胶生产线，合计产能 25 吨。
此外，就宁波芯港小镇南大三期项目建设进度，南大光电回应称该工厂已经建成。
据了解，南大光电多年来专注于关键半导体材料的技术研发，凭借多年的自主研发和实践积累，掌握了 MO 源、高纯 ALD / CVD 前驱体、氢类电子特气、含氟电子特气、ArF 光刻胶等关键电子材料的核心技术，先后承担了国家 863 计划 MO 源全系列产品产业化项目及多项国家“02 专项”项目，攻克了多个技术难题。半导体材料的研发，需要高端技术人才及行业专家的引领和驱动。本次激励计划授予价格有利于公司吸引、留住更多优秀人才，持续激发企业创新创效的内生长加速度，全面塑造人才引领产业、产业汇聚人才的企业生态文化。
在 MO 源方面，公司除了在 MO 源 2.0 研发方面取得进展外，在高纯、低硅低氧三甲基铝方面加大研发力度，也取得了关键性的进展，为 MO 源业务从 LED 向 IC、新能源行业的升级转型奠定基础。前驱体方面，除了有客制产品的研发和产业化外，还要将去年从杜邦集团买入的硅前驱体专利进行研发和产业化，目前进展顺利。
在电子特气方面，最新升级的超高纯砷烷产品品质在下游客户的测试中已超过目前国际先进同行的技术水平，超高纯磷烷产品进入国际一流制程的芯片企业，标志着公司氢类电子特气已跃居世界前列。混气方面的研发进展也比较好，正在积极应对新能源产业和半导体行业升级需求。