IT之家6月1日消息 今天早上据中国台湾《经济日报》消息，受华为事件冲击，台积电通知设备工厂，决定延后5nm扩建及3nm试产至明年第一季度，较原定时程延长两季度。
台积电的3nm工艺是5nm之后的下一代制程节点，官方信息显示3nm工艺晶体管密度达到2.5亿/mm²，而5nm工艺是1.8亿/mm²，资料显示3nm性能较5nm提升7%，能耗比提升15%。
IT之家获悉，台积电评估工艺上多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳，所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。
但台积电今天否认传闻，表示一切按照计划进行，3nm工艺如期在2021年Q1季度试产，2022年下半年正式量产。