11 月 19 日消息，外媒 ComputerBase 今天分享了三星电子在“2021 三星技术日”当天公开的未来发展蓝图和存储技术革新的内容。
▲ 图自三星半导体
外媒称，三星在准备 DDR5 技术的后继产品 DDR6，据称该技术的速度和带宽是 DDR5 的两倍。
DDR6 标准还没有被 JEDEC 正式确定，默认的规格应该在 DDR6-12800 左右。三星证实，该技术尚处于早期开发阶段，因此公司共享的数据可能会发生变化。外媒称，DDR6 超频内存有望达到 DDR6-17000。
据称，DDR6 内存每个模块将拥有 4 个通道，是 DDR5 的两倍；bank 数量将达到 64 个，是 DDR4 的 4 倍。
显存方面，三星现在正在开发 GDDR6 + 标准，提供高达 24 Gbps 的速度，高于当前 GDDR6 标准提供的 18 Gbps，使用三星的 1znm 工艺制造。此外，GDDR7 标准也在路线图中，但没有更多细节。