三星预计 2025-2026 年量产第十代 V-NAND 闪存,直接跳到 430 层堆叠

感谢网友 OC_Formula 的线索投递! 1 月 9 日消息,据韩媒 The Elec 消息,三星将加速 3D NAND 堆叠进程,正在讨论将预计 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND … Continue reading 三星预计 2025-2026 年量产第十代 V-NAND 闪存,直接跳到 430 层堆叠