7 月 1 日消息,据《韩国经济日报》报道,三星电子、SK 海力士分别考虑向韩国产业银行申请 5 万亿和 3 万亿韩元(备注:当前分别约 263.8 / 158.28 亿元人民币)低息贷款,用于业务扩 … Continue reading 消息称三星电子、SK 海力士分别考虑申请 5/3 万亿韩元低息贷款,扩张运营
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提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求,消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂
6 月 17 日消息,据韩媒 The Elec 报道,SK 海力士计划大幅增加 1b nm 制程 DRAM 内存产能,以满足 HBM3E 内存需求。 HBM 内存对 DRAM 裸片的消耗远高于标准内存 … Continue reading 提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求,消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂
SK 海力士出席戴尔科技全球峰会,展示 PVC10 固态硬盘等存储新品
5 月 22 日消息,在北京时间本月 21 日至 24 日举行的戴尔科技全球峰会上,SK 海力士带来了多款存储领域新品,涵盖内存、固态硬盘品类。 在消费级固态硬盘领域,SK 海力士展示了尚未正式公布的 … Continue reading SK 海力士出席戴尔科技全球峰会,展示 PVC10 固态硬盘等存储新品
跟随三星、美光步伐,SK 海力士将在年内推出 1bnm 32Gb DDR5 内存颗粒
4 月 25 日消息,据韩媒 NEWSIS 报道,SK 海力士在今日的 2024 年一季度财报电话会议上表示将在年内推出 1bnm 32Gb DDR5 内存颗粒。 32Gb 颗粒意味着消费级的 UDI … Continue reading 跟随三星、美光步伐,SK 海力士将在年内推出 1bnm 32Gb DDR5 内存颗粒
消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
4 月 23 日消息,韩媒 The Elec 在报道中表示,预测 SK 海力士将在 HBM4 内存的基础裸片(Base Die)部分采用台积电 7nm 制程。 注:目前台积电 7nm 系产能大部分已迁 … Continue reading 消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
SK 海力士宣布业界率先完成氖气回收技术开发,每年可节省 400 亿韩元
4 月 2 日消息,SK 海力士于昨日宣布,已与韩半导体行业特种气体制造商 TEMC 成功合作开发了业界首个氖气回收技术,每年可节省 400 亿韩元(备注:当前约 2.14 亿元人民币)。 由于地缘政 … Continue reading SK 海力士宣布业界率先完成氖气回收技术开发,每年可节省 400 亿韩元
SK 海力士宣布建造世界最大 3 层晶圆厂,明年 3 月在韩国龙仁动工
感谢网友 lemon_meta 的线索投递! 3 月 22 日消息,据韩联社报道,SK 海力士表示将于明年 3 月开始建造世界最大的 3 层晶圆厂。这将是其位于韩国龙仁半导体集群庞大建设计划的第一部分 … Continue reading SK 海力士宣布建造世界最大 3 层晶圆厂,明年 3 月在韩国龙仁动工
AI 芯片需求激增,HBM 内存价格暴涨 500%
2 月 13 日消息,随着人工智能 (AI) 在 2023 年的爆发式增长,对 AI 芯片尤其是 HBM 内存的需求激增,导致 HBM 芯片的平均售价暴涨 500%。这对主要生产商美光、三星和 SK … Continue reading AI 芯片需求激增,HBM 内存价格暴涨 500%
SK 海力士推出 Tube T31 游戏闪存盘及 PS5 专用散热器 Haechi H01
感谢网友 OC_Formula 的线索投递! 1 月 21 日消息,SK 海力士在韩国推出了一款 Tube T31 闪存盘,看起来很像 U 盘,本质上是移动固态硬盘,1TB 容量 9.9 万韩元(备注 … Continue reading SK 海力士推出 Tube T31 游戏闪存盘及 PS5 专用散热器 Haechi H01
TrendForce:一季度全球 NAND 闪存销售下滑 16%,厂商继续减产应对库存压力
6 月 1 日消息,TrendForce 集邦咨询研究显示,一季度全球 NAND 闪存产业营收约为 86.3 亿美元(备注:当前约 613.59 亿元人民币),环比下降 16.1%,继去年第四季度下滑 … Continue reading TrendForce:一季度全球 NAND 闪存销售下滑 16%,厂商继续减产应对库存压力