9 月 10 日消息，Rambus 公司今天（9 月 10 日）发布新闻稿，宣布推出业内首款 HBM4 内存控制器 IP，为 HBM4 内存提供各种先进的特性集，助力设计人员应对下一代 AI 加速器及 … Continue reading Rambus 发布业界首款 HBM4 控制器 IP，最高数据传输速率 10 Gbps
Rambus 发布业界首款 HBM4 控制器 IP，最高数据传输速率 10 Gbps
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消息称 SK 海力士 HBM4 内存使用台积电 N5 版基础裸片
7 月 17 日消息，《韩国经济日报》（Hankyung）表示，SK 海力士将采用台积电 N5 工艺版基础裸片（Base Die）构建 HBM4 内存。 新一代 HBM 内存 HBM4 的 JEDEC … Continue reading 消息称 SK 海力士 HBM4 内存使用台积电 N5 版基础裸片
消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力
5 月 17 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日报道称，三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程（第六代 10+nm 级）DRAM 裸片，以提升其产品在能效等方面的竞争力。 三星 … Continue reading 消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力
消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
4 月 23 日消息，韩媒 The Elec 在报道中表示，预测 SK 海力士将在 HBM4 内存的基础裸片（Base Die）部分采用台积电 7nm 制程。 注：目前台积电 7nm 系产能大部分已迁 … Continue reading 消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
消息称 JEDEC 有望放宽 HBM4 高度限制，内存厂商无须被迫转向混合键合
3 月 12 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，行业标准制定组织 JEDEC 固态技术协会有望放宽对 HBM4 内存的高度限制，内存厂商无需被迫转向混合键合。 作为对 DRAM 进行 3D … Continue reading 消息称 JEDEC 有望放宽 HBM4 高度限制，内存厂商无须被迫转向混合键合
AI 芯片需求激增，HBM 内存价格暴涨 500%
2 月 13 日消息，随着人工智能 (AI) 在 2023 年的爆发式增长，对 AI 芯片尤其是 HBM 内存的需求激增，导致 HBM 芯片的平均售价暴涨 500%。这对主要生产商美光、三星和 SK … Continue reading AI 芯片需求激增，HBM 内存价格暴涨 500%