1 月 28 日消息，SK 海力士此前率先推出了 HBM3 高带宽内存芯片，其采用多层堆叠方式，使用 TSV 硅通孔工艺制造，单片容量可达 24 GB，最高带宽可达 896 GB/s。 JEDEC 组 … Continue reading JEDEC 公布 HBM3 内存标准：带宽最高 819 GB/s，最多 16 层堆叠 64GB
JEDEC 公布 HBM3 内存标准：带宽最高 819 GB/s，最多 16 层堆叠 64GB
标签： HBM3
SK 海力士将推出更快的 12 层 HBM3 内存，三星预热新 GDDR6 芯片
1 月 19 日消息，根据外媒 VideoCardz 消息，SK 海力士在一份文件中透露，将在 ISSCC 2022（IEEE 国际固态电路大会）发布两款全新的 DRAM 芯片，其中包含 1 … Continue reading SK 海力士将推出更快的 12 层 HBM3 内存，三星预热新 GDDR6 芯片
SK 海力士率先开发出 HBM3 DRAM 内存：单片最高 24GB，819 GB/s 带宽
10 月 20 日消息，今日韩国 SK 海力士宣布，成功开发出业界第一款 HBM3 DRAM 内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密 … Continue reading SK 海力士率先开发出 HBM3 DRAM 内存：单片最高 24GB，819 GB/s 带宽
Synopsys 推出业界首个 HBM3 内存设计解决方案，带宽 921 GB/s
10 月 10 日消息 根据外媒 techpowerup 报道，美国公司 Synopsys（新思）于 10 月 9 日宣布推出业界首个完整的 HBM3 IP 内存芯片设计方案。这项技术是 HBM2e … Continue reading Synopsys 推出业界首个 HBM3 内存设计解决方案，带宽 921 GB/s