标签： HBM

TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

7 月 22 日消息，TrendForce 集邦咨询在今日公布的最新研报中表示，在 HBM 和 QLC 崛起的带动下，2024 年 DRAM 内存和 NAND 闪存产业的营收年增幅度均将超过七成。 具 … Continue reading TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

下探 AI GPU 价格，“硅仙人”Jim Keller 谈未来设计：舍弃 HBM 是关键

7 月 17 日消息，本周在接受日经新闻采访时，传奇芯片设计师吉姆・凯勒（Jim Keller）表示：“英伟达在很多细分领域没有提供很好的服务”，并表示未来 AI 芯片设计革命的关键在于舍弃 HBM。 … Continue reading 下探 AI GPU 价格，“硅仙人”Jim Keller 谈未来设计：舍弃 HBM 是关键

三星被曝 2024Q3 向英伟达出货 HBM3e 芯片，转移 20-30% 产能将推高 DDR5 内存售价

7 月 16 日消息，三星本月初否认了 HBM3e 内存芯片通过英伟达认证测试的消息，不过集邦咨询最新消息称三星供应链已经转动起来，有望今年第 3 季度开始向英伟达出货。 援引该报道，在三星的规划中， … Continue reading 三星被曝 2024Q3 向英伟达出货 HBM3e 芯片，转移 20-30% 产能将推高 DDR5 内存售价

提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求，消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂

6 月 17 日消息，据韩媒 The Elec 报道，SK 海力士计划大幅增加 1b nm 制程 DRAM 内存产能，以满足 HBM3E 内存需求。 HBM 内存对 DRAM 裸片的消耗远高于标准内存 … Continue reading 提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求，消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂

TrendForce：HBM3e 带动，2024 年底 HBM 投片量预估占先进制程比重 35%

5 月 20 日消息，据 TrendForce 集邦咨询研究，三大原厂（备注：指美光、SK 海力士和三星电子）开始提高先进制程的投片，产能提升将集中在今年下半年，预计 1alpha nm（含）以上投片 … Continue reading TrendForce：HBM3e 带动，2024 年底 HBM 投片量预估占先进制程比重 35%

消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力

5 月 17 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日报道称，三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程（第六代 10+nm 级）DRAM 裸片，以提升其产品在能效等方面的竞争力。 三星 … Continue reading 消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力