8 月 26 日消息 据韩媒 BusinessKorea 报道，三星电子设备解决方案（DS）业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布，作为下一代代工微制造工艺的核心，全环绕栅极 … Continue reading 三星：3 纳米 GAA 制程研发进度领先台积电，将尽早实现商业化
三星：3 纳米 GAA 制程研发进度领先台积电，将尽早实现商业化
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2年后追上台积电 三星计划2022年量产3nm：首发GAA工艺
在半导体晶圆代工上，台积电一家独大，从10nm之后开始遥遥领先，然而三星的追赶一刻也没放松，今年三星也量产了5nm EUV工艺。三星计划在2年内追上台积电，2022年将量产3nm工艺。 从2019年开 … Continue reading 2年后追上台积电 三星计划2022年量产3nm：首发GAA工艺
台媒：台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术
【TechWeb】据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在2nm研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。 台媒称，三星已决定在3nm率先导 … Continue reading 台媒：台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术
2nm研发取得重大突破！台积电迈向GAA为什么比三星晚？
根据台湾经济日报报道，近日台积电在2nm研发上取得重大突破，目前已找到路径，将切入全环栅场效应晶体管GAA，这是台积电继从鳍式场效应晶体管FinFET技术取得全球领先地位之后，向另一全新的技术节点迈进 … Continue reading 2nm研发取得重大突破！台积电迈向GAA为什么比三星晚？