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三星：3 纳米 GAA 制程研发进度领先台积电，将尽早实现商业化

GAA 三星台积电

三星：3 纳米 GAA 制程研发进度领先台积电，将尽早实现商业化

8 月 26 日消息据韩媒 BusinessKorea 报道，三星电子设备解决方案（DS）业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布，作为下一代代工微制造工艺的核心，全环绕栅 ...

风君子
业界
2021-08-26
499

2年后追上台积电三星计划2022年量产3nm：首发GAA工艺

3nm GAA 三星台积电工艺

2年后追上台积电三星计划2022年量产3nm：首发GAA工艺

在半导体晶圆代工上，台积电一家独大，从10nm之后开始遥遥领先，然而三星的追赶一刻也没放松，今年三星也量产了5nm EUV工艺。三星计划在2年内追上台积电，2022年将量产3nm工艺。 ...

风君子
业界
2020-11-17
310

台媒：台积电2nm制程研发取得突破将切入GAA技术

GAA nm 台积电

台媒：台积电2nm制程研发取得突破将切入GAA技术

【TechWeb】据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在2nm研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。 ...

风君子
业界
2020-07-14
329

2nm研发取得重大突破！台积电迈向GAA为什么比三星晚？

2nm GAA 三星台积电

2nm研发取得重大突破！台积电迈向GAA为什么比三星晚？

根据台湾经济日报报道，近日台积电在2nm研发上取得重大突破，目前已找到路径，将切入全环栅场效应晶体管GAA，这是台积电继从鳍式场效应晶体管FinFET技术取得全球领先地位之后，向另一全新的技术节点迈进 ...

风君子
业界
2020-07-13
352