12 月 19 日消息，韩媒 Business Korea 昨日（12 月 18 日）发布博文，报道称三星电子正积极投资建设 10 纳米级第七代（1d）DRAM 测试线，旨在提升良率，扩大与竞争对手的 … Continue reading 三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 测试线，力图重夺市场领先地位
三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 测试线，力图重夺市场领先地位
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消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计
10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间 15 日报道，三星电子 HBM3E 产品迟迟未能完整通过最大需方英伟达认证并开始供货是因为受到该内存的基础 14nm 级 DRAM 的 … Continue reading 消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计
南亚科技预计全年内存位元出货量同比增幅超两成，正规划 EUV 工艺
9 月 5 日消息，台湾地区 DRAM 内存企业南亚科技本月 3 日公布今年 8 月合并营收 28.02 亿新台币（备注：当前约 6.2 亿元人民币），环比增长 2.07%、同比增长 8.83%。 该 … Continue reading 南亚科技预计全年内存位元出货量同比增幅超两成，正规划 EUV 工艺
消息称三星 1b nm 移动内存良率欠佳，影响 Galaxy S25 系列手机开发
9 月 4 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25 系列手机的 1b nm （注：即 12nm … Continue reading 消息称三星 1b nm 移动内存良率欠佳，影响 Galaxy S25 系列手机开发
华邦电子：4Gb DDR4 / LPDDR4 已放量出货，内存工艺明年升级至 16nm
8 月 6 日消息，综合台媒 MoneyDJ 理财网、钜亨网报道，利基型存储企业华邦电子总经理陈沛铭在 8 月 2 日的法人说明会上表示，其 4Gb 容量 DDR4 / LPDDR4 内存产品已放量出 … Continue reading 华邦电子：4Gb DDR4 / LPDDR4 已放量出货，内存工艺明年升级至 16nm
TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
7 月 22 日消息，TrendForce 集邦咨询在今日公布的最新研报中表示，在 HBM 和 QLC 崛起的带动下，2024 年 DRAM 内存和 NAND 闪存产业的营收年增幅度均将超过七成。 具 … Continue reading TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求，消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂
6 月 17 日消息，据韩媒 The Elec 报道，SK 海力士计划大幅增加 1b nm 制程 DRAM 内存产能，以满足 HBM3E 内存需求。 HBM 内存对 DRAM 裸片的消耗远高于标准内存 … Continue reading 提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求，消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂
威刚董事长陈立白：下半年 DDR4 内存有望涨价 30%
5 月 31 日消息，据台媒《工商时报》报道，存储模组企业威刚董事长陈立白在 2024 台北国际电脑展前的记者交流会上表示，下半年 DDR4 内存有望涨价三成。 陈立白称，DRAM 内存未来行情整体乐 … Continue reading 威刚董事长陈立白：下半年 DDR4 内存有望涨价 30%
SK 海力士宣布将清州 M15X 定为 DRAM 生产基地，向厂房投资约 5.3 万亿韩元
4 月 24 日消息，SK 海力士宣布，为应对用于 AI 的半导体需求剧增，决定扩充 AI 基础设施（Infra）的核心产品即 HBM 等新一代 DRAM 的生产能力（Capacity） 。 当天，公 … Continue reading SK 海力士宣布将清州 M15X 定为 DRAM 生产基地，向厂房投资约 5.3 万亿韩元
三星提振 DRAM 业务，Omdia 预估今年下半年产能恢复到 2023 年前水平
3 月 16 日消息，市场调查机构 Omdia 近日发布预估报道，认为三星的 DRAM 产能有望在 2024 年下半年恢复到 2023 年前的水平。 三星 DRAM 业务在 2023 年遭遇 … Continue reading 三星提振 DRAM 业务，Omdia 预估今年下半年产能恢复到 2023 年前水平