标签： 3nm/2nm晶体管揭秘：难、难、难

一些晶圆代工厂仍在基于下一代全能栅极晶体管开发新工艺，包括更先进的高迁移率版本，但是将这些技术投入生产将是困难且昂贵的。 GAA FET将被用于3nm以下，拥有更好的性能，更低的功耗和更低的漏电压。虽 … Continue reading 3nm/2nm晶体管揭秘：难、难、难