3nm、5nm关键技术:复旦教授成功验证实现GAA晶体管

来自的消息,该校周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术,验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管(GAA,Gate All Around),实现了高驱动电流和低泄漏 … Continue reading 3nm、5nm关键技术:复旦教授成功验证实现GAA晶体管