标签： 3nm、5nm关键技术：复旦教授成功验证实现GAA晶体管

来自的消息，该校周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏 … Continue reading 3nm、5nm关键技术：复旦教授成功验证实现GAA晶体管