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被美光抢先推出176层闪存三星回应技术延误：明年追上

在3D闪存技术上，作为全球闪存最大厂商的三星一直是领先的，堆栈层数也是最多的，，进度比三星要快。根据美光的说法，176层闪存其实是基于两个88层叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512 … Continue reading 被美光抢先推出176层闪存三星回应技术延误：明年追上

美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。美光、Intel合作时，走的是浮动栅 … Continue reading 美光全球首发176层3D闪存：幸好不是QLC