TrendForce:HBM、QLC 崛起,助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

7 月 22 日消息,TrendForce 集邦咨询在今日公布的最新研报中表示,在 HBM 和 QLC 崛起的带动下,2024 年 DRAM 内存和 NAND 闪存产业的营收年增幅度均将超过七成。 具 … Continue reading TrendForce:HBM、QLC 崛起,助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

SK 海力士宣布开发出新一代移动端 NAND 闪存解决方案“ZUFS 4.0”,今年第三季度量产并搭载于端侧 AI 手机

5 月 9 日消息,SK 海力士公司今日宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI 的移动端 NAND 闪存解决方案产品“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。 注:端侧(On-Device … Continue reading SK 海力士宣布开发出新一代移动端 NAND 闪存解决方案“ZUFS 4.0”,今年第三季度量产并搭载于端侧 AI 手机

232层3D闪存芯片来了:单片容量2TB,传输速度提高50%

Pine 发自 凹非寺 量子位 | 公众号 QbitAI 232层的3D闪存芯片来了,数据传输速率提高50%,容量可达2TB。 美光继上次抢先推出176层3D NAND后,近日又率先推出全球首款232 … Continue reading 232层3D闪存芯片来了:单片容量2TB,传输速度提高50%

UFS闪存影响手机流畅度吗(具体怎样影响手机使用

当我们在使用手机的时候,有很多因素会影响到手机的流畅度,比如手机的运行内存不一样,那么手机的流畅度也就会有区别,除此之外,闪存的读写速度也会影响到手机的流畅度,那么UFS闪存影响手机流畅度吗?以三星U … Continue reading UFS闪存影响手机流畅度吗(具体怎样影响手机使用

闪存和内存的区别(FLASH闪存

手机的存储上面分为两部分,一部分是手机的内存,一部分是手机的闪存。手机的内存决定着手机软件的运行多少,决定着手机的流畅度。而手机的闪存决定着手机的存储大小。很多人都很好奇闪存和内存的区别是什么呢?其实 … Continue reading 闪存和内存的区别(FLASH闪存

比国产闪存多了6层 SK海力士量产238层4D闪存:速度提升50%

快科技6月8日,堆栈层数是衡量闪存的一个重要指标,此前都是三星、铠侠等公司在这方面领域,不过去年国产232层闪存率先量产,最近降价的SSD硬盘就是国产232层闪存方案生产的。 现在这个层数要被SK海力 … Continue reading 比国产闪存多了6层 SK海力士量产238层4D闪存:速度提升50%