12 月 27 日消息，据高能物理研究所，近日，中国科学院高能物理研究所科研团队研制出具有良好抗辐照性能的硅超快传感器。 该传感器基于低增益雪崩放大二极管（Low-Gain Avalanche Dio … Continue reading 高能物理研究所研制出硅超快传感器：具有良好抗辐照性能
12 月 27 日消息，据高能物理研究所，近日，中国科学院高能物理研究所科研团队研制出具有良好抗辐照性能的硅超快传感器。 该传感器基于低增益雪崩放大二极管（Low-Gain Avalanche Dio … Continue reading 高能物理研究所研制出硅超快传感器：具有良好抗辐照性能