10 月 8 日消息，参考此前报道，新存科技 9 月 23 日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型 3D 存储器芯片 NM101。该新品采用先进工艺制程结合三维堆叠技术，单芯片容量达 64Gb。 新 … Continue reading 新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数：最高 IO 速度 3200MT/s
新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数：最高 IO 速度 3200MT/s
标签： 相变存储器
日本研究团队制造新型碲化铌材料，有望作为相变存储器原材料降低生产成本
9 月 5 日消息，日本东北大学的研究人员日前利用溅射技术制造出了碲化铌（NbTe4）材料，据悉这种材料具有“卓越存储和热性能”，有望应用于相变存储器制造中，从而为业界提供更多原材料选择，降低相关成本 … Continue reading 日本研究团队制造新型碲化铌材料，有望作为相变存储器原材料降低生产成本
华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器
近日，华中科技大学集成电路学院发文称，学院团队研制出全世界功耗最低的相变存储器。 大数据时代对存储器的性能提出了极高的要求，尤其是类脑计算、边缘计算急需功耗极低的存储器。在新型存储器中，相变存储器（P … Continue reading 华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器