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三星预计 2025-2026 年量产第十代 V-NAND 闪存，直接跳到 430 层堆叠

三星预计 2025-2026 年量产第十代 V-NAND 闪存，直接跳到 430 层堆叠

感谢网友 OC_Formula 的线索投递！ 1 月 9 日消息，据韩媒 The Elec 消息，三星将加速 3D NAND 堆叠进程，正在讨论将预计 2025-2026 年量产的第十代 V-NAN ...

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