8 月 22 日消息 在 HotChips 33 大会上，三星确认正在开发具有 8 层 TSV（直通硅通孔）的 DDR5 内存模块，是 DDR4 内存容量的两倍。这意味着理论上，512GB … Continue reading 三星：正在开发 8 层 TSV 的 DDR5 内存模块，容量达 DDR4 两倍
三星：正在开发 8 层 TSV 的 DDR5 内存模块，容量达 DDR4 两倍
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8 月 22 日消息 在 HotChips 33 大会上，三星确认正在开发具有 8 层 TSV（直通硅通孔）的 DDR5 内存模块，是 DDR4 内存容量的两倍。这意味着理论上，512GB … Continue reading 三星：正在开发 8 层 TSV 的 DDR5 内存模块，容量达 DDR4 两倍