标签： 三星电子

三星电子又遭集体罢工，印度一工厂员工要求提高待遇

9 月 11 日消息，据路透社印度当地时间昨日报道，三星电子位于印度泰米尔纳德邦首府钦奈（金奈）附近 Sriperumbudur 的一家电厂本周爆发罢工，影响非智能手机领域的消费电子产品生产。 三星在 … Continue reading 三星电子又遭集体罢工，印度一工厂员工要求提高待遇

消息称英特尔 CEO 帕特・基辛格明年将首度于 ISSCC 发表全会演讲，介绍代工进展

8 月 9 日消息，韩媒《朝鲜日报》报道称，英特尔 CEO 帕特・基辛格将出席于当地时间 2025 年 2 月 16 日~20 日在旧金山举行的下届 IEEE ISSCC 国际固态电路会议，并将首度在 … Continue reading 消息称英特尔 CEO 帕特・基辛格明年将首度于 ISSCC 发表全会演讲，介绍代工进展

三星电子被控在微处理器和内存制造领域侵犯哈佛大学两项专利

8 月 7 日消息，综合《彭博法律》和路透社报道，哈佛大学本周一向美国得克萨斯州东区地方法院提交起诉书，指控三星电子在微处理器和内存制造领域侵犯了两项专利。 从起诉书中了解到，哈佛大学化学系教授 Ro … Continue reading 三星电子被控在微处理器和内存制造领域侵犯哈佛大学两项专利

消息称三星电子正研发“3.3D”先进封装技术，目标 2026 年二季度量产

7 月 3 日消息，韩媒 ETNews 近日报道称，三星电子 AVP 先进封装部门正在开发面向 AI 半导体芯片的新型“3.3D”先进封装技术，目标 2026 年二季度实现量产。 韩媒给出的概念图显示 … Continue reading 消息称三星电子正研发“3.3D”先进封装技术，目标 2026 年二季度量产

设备成本渐成先进制程重要因素，Hyper NA EUV 光刻机价格恐破万亿韩元大关

7 月 2 日消息，韩媒《朝鲜日报》近日表示，ASML 预计于 2030 年左右推出的下一代光刻设备 —— Hyper (0.75) NA EUV 光刻机价格可能会突破一万亿韩元（备注：当前约 52. … Continue reading 设备成本渐成先进制程重要因素，Hyper NA EUV 光刻机价格恐破万亿韩元大关

消息称三星电子、SK 海力士分别考虑申请 5/3 万亿韩元低息贷款，扩张运营

7 月 1 日消息，据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK 海力士分别考虑向韩国产业银行申请 5 万亿和 3 万亿韩元（备注：当前分别约 263.8 / 158.28 亿元人民币）低息贷款，用于业务扩 … Continue reading 消息称三星电子、SK 海力士分别考虑申请 5/3 万亿韩元低息贷款，扩张运营

三星电子宣布其首个背面供电工艺节点 SF2Z 将于 2027 年量产

6 月 13 日消息，三星电子在北京时间今日凌晨举行的三星代工论坛 2024 北美场上宣布，其首个采用 BSPDN（背面供电网络）的制程节点 SF2Z 将于 2027 年量产推出。 BSPDN 技术将 … Continue reading 三星电子宣布其首个背面供电工艺节点 SF2Z 将于 2027 年量产