12 月 19 日消息，韩媒 Business Korea 昨日（12 月 18 日）发布博文，报道称三星电子正积极投资建设 10 纳米级第七代（1d）DRAM 测试线，旨在提升良率，扩大与竞争对手的技术差距，并力争在明年重新夺回 DRAM 市场的领先地位。
消息称三星已于今年第四季度开始在平泽第二工厂（P2）建设 10 纳米级第七代 DRAM 测试线，又称“one path”线。
该测试线预计将于 2025 年第 1 季度全面建成，用于测试新产品的量产潜力，并提升良率。尽管平泽 10 纳米级第七代 DRAM 工厂的确切规模尚未确定，但通常安装测试线每月可处理约 10000 片晶圆。
援引该媒体报道，三星准备同步推进第七代 DRAM 测试线的建设与第六代 DRAM 的量产准备，计划从 2025 年初开始在平泽第四工厂（P4）引进设备，生产 10 纳米级第六代 DRAM，并力争在明年 5 月获得内部量产批准（PRA）。
在人才配备方面，三星为顺利推进 1c DRAM 的量产，还将从华城工厂派遣 DRAM 相关人员到平泽工厂。
该媒体解读认为，三星此举是一项积极的投资策略，在经历了 HBM 市场份额被 SK 海力士超越，以及 10 纳米级第六代 DRAM 开发速度落后的双重打击后，三星正全力以赴，希望通过提前布局下一代产品，在明年重夺市场“霸主”地位。