12 月 16 日消息，根据美国商务部当地时间 13 日公告，美国政府已同博世就一份《CHIPS》法案补贴达成不具约束力的初步备忘录，计划向博世的加州晶圆厂改造项目提供 2.25 亿美元（备注：当前约 16.39 亿元人民币）直接资金和 3.5 亿美元（当前约 25.49 亿元人民币）贷款。
博世在 2023 年收购了 TSI Semiconductors，取得 TSI 加州罗斯维尔 8 英寸（200mm）晶圆厂所有权，并表示将把该晶圆厂改造为 SiC 碳化硅生产设施，目标 2026 年投产。
加州罗斯维尔晶圆厂是博世在美首个半导体生产基地。该改造项目耗资 19 亿美元（当前约 138.37 亿元人民币），将导入最先进的碳化硅生产工艺。美国商务部表示，该晶圆厂满载时有望生产博世绝大部分碳化硅半导体，并占到美国碳化硅器件总产能的 40% 以上。
除直接资金和贷款以外，博世还计划向美国财政部申请相当于合格资本支出额 25% 的先进制造投资抵免。
博世移动电子部门总裁 Michael Budde 表示：
在美国生产碳化硅芯片是我们加强半导体产品组合和支持当地客户的战略计划的关键部分。
碳化硅芯片有助于在电池电动汽车（BEV）和插电式混合动力汽车（PHEV）中实现更大的续航里程和更高效的充电，从而为消费者提供负担得起的电动汽车选择。
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