10 月 26 日消息，德州仪器 TI 本月 24 日宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 GaN 材料的功率半导体产品，这也意味着德州仪器的整体 GaN 功率半导体产能升至以往四倍。
德州仪器技术和制造高级副总裁 Mohammad Yunus 表示：
凭借十多年来在氮化镓芯片设计和制造方面的专业知识，我们已成功验证了我们的 200mm（注：即 8 英寸）氮化镓技术 —— 当今最具可扩展性和成本竞争力的 GaN 制造方法 —— 并在会津开始量产。
这一里程碑使我们能够在内部制造更多的 GaN 芯片，到 2030 年，我们的内部制造率将达到 95% 以上，同时还可以从德州仪器的多个地点采购，确保我们整个 GaN 高功率、高能效半导体产品组合的可靠供应。
会津 GaN 功率半导体生产线的投入量产也意味着德州仪器可将其 GaN 器件扩展到 900V 乃至更高的电压，开创更为广阔的应用场景；此外德州仪器今年早些时候成功进行了 300mm（12 英寸）晶圆 GaN 制造工艺的试点。
