6 月 17 日消息，据韩媒 The Elec 报道，SK 海力士计划大幅增加 1b nm 制程 DRAM 内存产能，以满足 HBM3E 内存需求。
HBM 内存对 DRAM 裸片的消耗远高于标准内存，因此 SK 海力士进一步扩张 1b nm 制程 DRAM 产能在一定程度上有助于缓解 HBM 内存目前的紧缺。
SK 海力士目标到今年年底将 1b nm 内存晶圆投片量增至 9 万片，明年上半年进一步增加到 14~15 万片。
为此 SK 海力士计划将其位于京畿道利川市的 M16 内存晶圆厂升级至 1b nm 工艺。
M16 目前生产 1y nm DRAM 内存。如果完全转产至 1b nm，预计将导致 SK 海力士 1y nm 产能从现在的每月 12 万片晶圆下降至 5 万片。
韩媒援引半导体设备行业消息人士的话称，SK 海力士已提出了对 M16 晶圆厂进行设备移动和改造的要求，并计划仅引进必需的沉积、光刻和蚀刻核心设备。
有相关人士表示，SK 海力士的追加投资仍受到此前存储行业低谷期的影响，整体决策流程十分谨慎，不过目前相关订单的增长已超出了上游设备厂商最初预期。
4 月曾报道，SK 海力士计划 2025 年 11 月完成 M15X DRAM 内存晶圆厂的建设。韩媒提到，相关设备订单预计于 2025 年初开始下单