5 月 20 日消息，据 TrendForce 集邦咨询研究，三大原厂（备注：指美光、SK 海力士和三星电子）开始提高先进制程的投片，产能提升将集中在今年下半年，预计 1alpha nm（含）以上投片到年底将占 DRAM 总投片比重约 40%。以各家 TSV 产能来看，到年底 HBM 将占先进制程比重 35%，其余则用以生产 LPDDR5 (X) 与 DDR5 产品。
以 HBM 最新发展进度来看，今年 HBM3e 将是市场主流，集中在今年下半年出货。目前 SK 海力士依旧是主要供应商，与美光均采用 1beta nm 制程，两家现已正式出货给英伟达；三星则采用 1alpha nm 制程，预计今年二季度完成验证，于年中开始交付。
目前三大原厂的新厂规划如下：
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三星现有厂房 2024 年底产能大致满载，新厂房 P4L 规划于 2025 年完工，同时 Line15 厂区将进行制程转换，由 1Ynm 转换至 1beta nm 以上。
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SK 海力士明年预计扩大 M16 产能，M15X 同样也规划于 2025 年完工，并于明年底量产。
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美光中国台湾厂区将于明年恢复至满载，后续产能扩张将以美国厂为主，Boise 厂区预计于 2025 年完工并陆续移机，计划 2026 年量产。
尽管三大原厂的新厂将于 2025 年完工，但部分厂房后续的量产时间尚未有明确规划，需依赖 2024 年的获利，才得以持续扩大规模。
除此之外，由于英伟达 GB200 将于 2025 年大量出货，其规格为 HBM3e 192/384GB，预计 HBM 产出将接近翻倍，紧接着三大原厂将开始研发 HBM4，如果投资没有明显扩大，因各家产能规划都以 HBM 优先，在产能排挤的效应下，DRAM 产品可能会供不应求。