三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存,速率可达 3.2GB/s

1 月 30 日消息,2024 年 IEEE 国际固态电路会议(ISSCC)将于 2 月 18 日至 22 日在旧金山举行,是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议。

根据会议公开内容:届时三星将展示其 GDDR7 内存以及 280 层 3D QLC NAND 闪存等技术,其中 GDDR7 此前已有相关报道,而 280 层 QLC 闪存将成为迄今为止数据密度最高的新型 NAND 闪存技术。

从三星给出的主题“A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm2 Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate”来看,其 280 层 1Tb QLC  闪存具有如下特征:

  • 280 层 1Tb 4b / cell 3D-NAND 闪存:

  • ——280 层:指该闪存芯片由 280 层存储单元垂直堆叠而成,从而提高了存储密度。

  • ——1Tb:指该闪存芯片的存储容量密度为 1024 G bit。

  • ——4b / cell:指每个存储单元可以存储 4 个二进制位,即每比特数据占用 0.25 个存储单元,进一步提高了存储密度。

  • ——3D-NAND:指该闪存采用 3D 堆叠技术,通过垂直堆叠存储单元来增加存储密度。

  • 28.5Gb / mm2 面密度:指每平方毫米存储单元可存储 28.5Gb 数据,表明其存储密度极高。

  • 3.2GB/s High-Speed 10 Rate:指该闪存芯片读取数据的最高速度为 3.2GB/s,High-Speed 10 Rate 可能指的是某种特定的接口或传输协议。

注:Gb 即兆位(G bit),是密度单位,与 GB(G Byte)不同。就目前已公开技术来看,三星 280 层 1Tb QLC  闪存的密度和速率均处于领先位置,但量产时间未知。

美光 三星 西数 / 铠侠 SK 海力士
QLC 方案 232 层 QLC 280 层 QLC 162 层 QLC 176 层 QLC
单位密度 mm2 19.5 Gb  28.5 Gb 13.86 Gb 14.40 Gb
Die 容量 1 Tb 1 Tb 1 Tb 512 Gb
下一代发布日期 ? 2024 212 层 (未知) 238 层 (2024)

根据三星 PPT 来看,QLC NAND V9 闪存可以实现最高 8TB 的 M.2 硬盘,IO 速度超过 2.4Gbps(单个芯片),原始性能可与当今 TLC 闪存直接竞争,但具体上市产品表现如何仍待观察。

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风君子

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